特許
J-GLOBAL ID：200903040596918856
窒化ホウ素膜で被覆された窒化アルミニウムナノチューブ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-231848
公開番号（公開出願番号）：特開2006-045032
出願日： 2004年08月09日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 電子デバイス用材料などに利用可能な窒化ホウ素膜で被覆された窒化アルミニウムナノチューブとその製造方法を提供する。【解決手段】 B-N-O化合物粉末5をグラファイト製の第2の坩堝8に入れて、第2の坩堝8を縦型高周波誘導加熱装置1に設置する。また、塩化アルミニウム粉末7を窒化ホウ素製の第1の坩堝6に入れて第2の坩堝8の上方に配置する。そして、不活性ガスを流しながら、塩化アルミニウム粉末7を900°C〜950°Cに昇温し、その後、不活性ガスの代わりにアンモニアガスと窒素ガスとの混合ガスを流しながら、1200°C〜1250°Cで1時間〜1.2時間加熱して、窒化アルミニウムナノチューブを合成する。次に、B-N-O化合物粉末5を入れた第2の坩堝8を1550°C〜1650°Cに1時間〜1.5時間加熱して、窒化アルミニウムナノチューブ上に窒化ホウ素膜を堆積させる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
ナノチューブ状の窒化アルミニウム内層と、該内層を被覆したナノサイズの窒化ホウ素外層と、から成ることを特徴とする、窒化ホウ素膜で被覆された窒化アルミニウムナノチューブ。
IPC (2件)：
C01B 21/072
, C01B 21/064
C01B21/072 R
, C01B21/064 H
審査官引用 (12件)
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特開昭61-201608
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特開昭63-156531
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特開昭62-282636
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