特許
J-GLOBAL ID:200903040616002772
積層体およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-245226
公開番号(公開出願番号):特開2006-062135
出願日: 2004年08月25日
公開日(公表日): 2006年03月09日
要約:
【課題】 従来の金属薄膜と同等程度の導電性を有し、かつ基板との密着性の高い積層体と、その製造方法を提供する。また、高温を必要としないで基板上に金属薄膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板と、絶縁基板上に形成したイミド結合および/またはアミド結合を有する絶縁性樹脂層と、絶縁性樹脂層上に形成された、粒子径200nm以下の金属微粒子が、互いに融着した構造を有する金属薄膜からなる積層体。【選択図】 選択図なし。
請求項(抜粋):
絶縁基板と、絶縁基板上に形成されたイミド結合および/またはアミド結合を有する絶縁性樹脂層と、絶縁性樹脂層上に形成された粒子径200nm以下の金属微粒子が互いに融着した構造を有する金属薄膜とからなる積層体。
IPC (3件):
B32B 15/088
, H05K 1/03
, H05K 3/00
FI (3件):
B32B15/08 R
, H05K1/03 610N
, H05K3/00 R
Fターム (22件):
4F100AA17C
, 4F100AB01C
, 4F100AH02C
, 4F100AK46B
, 4F100AK49A
, 4F100AK49B
, 4F100AK50B
, 4F100AR00A
, 4F100BA03
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100DE01C
, 4F100EH462
, 4F100EJ012
, 4F100EJ102
, 4F100EJ422
, 4F100GB43
, 4F100JG04A
, 4F100JG04B
, 4F100YY00B
, 4F100YY00C
引用特許:
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