特許

J-GLOBAL ID：200903040622243285

絶縁膜の形成方法

発明者： 佐々木 直人 ,  宮永 隆史 ,  亀岡 克也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021206
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213693
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスのデザインルールを微細化して高集積化を進めてもデバイスの動作速度が低下しないように、より低誘電率の絶縁膜を形成することが可能な絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 Si-H結合を含む無機系の塗布型絶縁膜を形成する際に、酸素濃度を低下させた雰囲気中で上記塗布型絶縁膜を焼成する。なお、塗布型絶縁膜を焼成する際に酸素濃度を低下させるには、例えば、焼成炉内の雰囲気を減圧したり、或いは、焼成炉内の雰囲気を不活性ガスで置換すればよい。

請求項（抜粋）：

Si-H結合を含む無機系の塗布型絶縁膜を形成する際に、酸素濃度を低下させた雰囲気中で上記塗布型絶縁膜を焼成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/95

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 絶縁膜を有する半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-280619   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-001866   出願人：川崎製鉄株式会社
• 酸化ケイ素膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-352735   出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社