絶縁膜を有する半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-280619
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148559
出願日： 1994年11月15日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】基板上に塗布されたポリシラザンを、その下層に形成された配線の腐食及び欠損を引き起こすことなくキュアして形成された絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】表面に段差を有する基板を準備する工程と、基板表面の上にポリシラザンを塗布する工程と、ポリシラザンを非酸化性雰囲気中でキュアする工程とを含む。

請求項（抜粋）：

表面に段差を有する基板を準備する工程と、前記基板表面の上にポリシラザンを塗布する工程と、前記ポリシラザンを非酸化性雰囲気中でキュアする工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/312

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-101682 出願人：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-042770 出願人：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-047207 出願人：川崎製鉄株式会社

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