特許
J-GLOBAL ID：200903040652218226
シミュレーション方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146106
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340789
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 双方向ホットキャリア・ストレスが印加されるMOSトランジスタを含む回路において、劣化後の回路動作へのしきい値の劣化の影響を高精度でシミュレートできるMOSトランジスタのホットキャリア劣化のシミュレーション方法を得る。【解決手段】 ドレイン電流劣化およびしきい値電流劣化をシミュレートするため回路シミュレータに入力する回路記述データにおいて、ホットキャリア劣化前のMOSトランジスタのゲート電極とゲート電極に接続された接続点の間に、しきい値電圧劣化ΔVthの電圧を出力する可変電圧源を追加することで劣化後の特性をシミュレートする。またはさらに双方向ストレス後のしきい値電圧劣化ΔVthをMOSトランジスタのドレイン端劣化によるしきい値電圧劣化(ΔVth)Dとソース端劣化によるしきい値電圧劣化(ΔVth)Sの和により表す。
請求項（抜粋）：
ドレイン電流の劣化およびしきい値電流の劣化をシミュレートするため、回路シミュレータに入力する回路記述データにおいて、ホットキャリア劣化前のMOSトランジスタのドレイン電極とソース電極の間にドレイン電流劣化量の電流を出力する可変電流源を追加するホットキャリア劣化のシミュレーション方法において、さらに回路シミュレータに入力する回路記述データにおいて、ホットキャリア劣化前のMOSトランジスタのゲート電極とゲート電極に接続された接続点の間に、しきい値電圧の劣化ΔVthの電圧を出力する可変電圧源を追加することにより、劣化後の特性をシミュレートすることを特徴とするシミュレーション方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, G06F 17/50
, H01L 29/00
H01L 29/78 301 Z
, H01L 29/00
, G06F 15/60 666 S
5B046AA08
, 5B046BA04
, 5B046JA04
, 5F040DA00
, 5F040DA17
, 5F040DA30
