特許
J-GLOBAL ID：200903040684849767
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-304132
公開番号（公開出願番号）：特開2006-117441
出願日： 2004年10月19日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】回転する坩堝内でSiまたはSi合金融液中にSiCが溶解した溶液にシード軸に固定されたSiCの種結晶を浸漬し、少なくとも前記種結晶周辺における溶液の過冷却によりSiCを過飽和状態とすることによって前記SiC種結晶上にSiC単結晶層を成長させる溶液成長法による炭化珪素単結晶の製造において、径が1インチ以上で厚みが5ミクロン以上と大型になっても、インクルージョンのない良質の単結晶を高い結晶成長速度で製造する。 【解決手段】坩堝の回転を、所定回転数への加速および保持と低速回転または0回転への減速とを繰り返す坩堝加速回転を適用しながら単結晶を成長させる。坩堝の回転方向も各加速ごとに反転させてもよい。さらに、シード軸も、坩堝回転方向と同一または反対方向に、坩堝回転と同期させて回転させてもよい。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
回転する坩堝内のSiとCまたはSiとCと1種類以上の金属を含む、SiCが溶解した融液中に、シード軸に固定されたSiCの種結晶を浸漬し、少なくとも前記種結晶周辺における溶液の過冷却によりSiCを過飽和状態とすることによって前記種結晶上にSiC単結晶層を成長させることによる炭化珪素単結晶の製造において、坩堝の回転数または回転数および回転方向を周期的に変化させることによって前記融液を攪拌することを特徴とする、炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CD10
, 4G077EH08
, 4G077HA01
, 4G077HA05
, 4G077MB12
, 4G077MB32
