特許

J-GLOBAL ID：200903040703982627

半導体装置の製造方法

発明者： 山田 展英 ,  松山 日出人 ,  宮島 秀史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-163686
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004541
出願日： 2007年06月21日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

【課題】半導体基板上に形成された絶縁膜の加工部の表面の平坦化を行なう半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜24に所定の加工を施し、前記絶縁膜24の加工部の表面28aに、少なくともSi含有化合物を含む原料を反応させた1次反応物を供給し、その1次反応物について脱水縮合を行なうことにより、加工部の表面28aにシリコン酸化膜30を形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜に所定の加工を施し、 前記絶縁膜の加工部の表面に、少なくともSi含有化合物を含む原料を反応させた1次反応物を供給し、 その1次反応物について脱水縮合を行なうことにより、前記加工部の表面にシリコン酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/320

FI (4件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/90 K ,  H01L21/90 P ,  H01L21/88 K

Fターム (33件)：

5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX01 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BE02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-296667   出願人：JSR株式会社

審査官引用 (2件)

• シリル化剤を用いる低誘電率誘電材料の損傷の修復
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-534058   出願人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
• 積層絶縁体膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-209258   出願人：ソニー株式会社