特許

J-GLOBAL ID：200903062864892745

表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、半導体装置およびその製造方法

発明者： 服部 清太郎 ,  小久保 輝一
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (3件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  井上 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-296667
公開番号（公開出願番号）：特開2006-104418
出願日： 2004年10月08日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【課題】その後の加工プロセスとの整合性を有し、かつ、表面のダメージをより簡便にかつ効率良く修復する事ができる表面疎水化法、ならびに表面のダメージの修復に使用可能な表面疎水化用組成物、及び前記表面疎水化方法によって、表面疎水化処理が施された層を含む半導体装置及びその製造方法、を提供する。【解決手段】層間絶縁膜20をエッチングして形成された凹部22の内壁22aの表面に、(A)官能基を有するシラン化合物と、(B)有機溶媒と、(C)安定化剤とを含む膜を形成し、前記膜中に含まれるシラン化合物と、前記凹部内壁表面にエッチングで生成されたシラノール基を反応させることによって、前記凹部内壁表面に疎水性膜24を形成した後、凹部内に導電性膜26を充填する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(A)官能基を有するシラン化合物と、(B)有機溶媒と、(C)安定化剤とを含む、表面疎水化用組成物。

IPC (3件)：

C09K 3/18 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

C09K3/18 104 ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 L ,  H01L21/90 C

Fターム (49件)：

4H020BA33 ,  4H020BA34 ,  4M104AA01 ,  4M104AA05 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD20 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104DD33 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF16 ,  4M104FF22 ,  4M104HH09 ,  4M104HH20 ,  5F033GG02 ,  5F033GG04 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033SS21 ,  5F033XX00 ,  5F033XX14

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第US6383466号明細書
  
• 米国特許第US5504042号明細書
  
• 米国特許第US6548113号明細書
  
• 米国特許第US6700200号明細書
  

審査官引用 (5件)

• 低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法および該方法より得られる低誘電率非晶質シリカ系被膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-318418   出願人：触媒化成工業株式会社, 富士通株式会社
• 光触媒性コ-ティング組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-068849   出願人：東陶機器株式会社
• ガスケット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-221954   出願人：豊田合成株式会社, 東京シリコーン株式会社
• 誘電フィルム及び材料における疎水性を回復する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-505668   出願人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-363878   出願人：松下電器産業株式会社