特許
J-GLOBAL ID：200903040720971728

半導体装置

発明者：
飯塚 祐二

飯塚 祐二 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-114055
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294882
出願日： 2005年04月12日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】放熱効率が高く、熱応力による接続不良や損傷の発生が防止できて高い接続信頼性が確保できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1上に良伝導性のアルミニウム、銅などの圧延された材料を打ち抜き加工し、それに曲げ加工を施した接続体3を半田2で固着する。接続体3の凹部の底面は半田2で固着される拘束領域4であり、接続体3の上部は半田2で固着されない非拘束領域5である。非拘束領域5でばね作用をする接続体3の拘束領域4を半導体基板1上に半田2で固着することで、接続体3と半導体基板1の熱膨張係数の差で半田2内に発生する熱応力を接続体3のばね作用で軽減して接続信頼性を向上させ、同時に放熱作用の向上を図る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板に接合する接続体と、を有する半導体装置において、前記接続体は、前記半導体基板に固着される複数の拘束領域と、該拘束領域間を連接するとともに固着されない複数の非拘束領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 21/60
FI (1件)：
H01L21/60 321E
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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