特許
J-GLOBAL ID：200903040739063911
誘電体キャパシタ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-343050
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151654
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 高温で長時間にわたる熱処理によって結晶化する誘電体を用いたキャパシタ素子を作成する場合に、キャパシタ下部電極表面の平坦性を改善し、ひいては誘電体キャパシタのリーク電流の増加を防止する。【解決手段】 キャパシタ下部電極側の構成を、例えば、Pt/Pt-Ti/TiO2の構造にし、下部電極下に余剰なTiを残さないようにし、誘電体層を形成する前にあらかじめ熱処理を加えておく。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されている絶縁層上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された上部電極とを具備する誘電体キャパシタ素子において、上記絶縁層上に形成された第1の金属元素と第2の金属元素とを少なくとも含む合金から成る合金層と、該合金層上に形成された上記第2の金属元素を含む金属層により構成される上記下部電極とを有することを特徴とする誘電体キャパシタ素子。
Fターム (9件)：
5F083GA06
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083NA08
, 5F083PR22
, 5F083PR33
