特許
J-GLOBAL ID：200903040832801205

結晶成長装置及び結晶成長方法

発明者：
皿山 正二

皿山 正二 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-270535
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091246
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】本発明は安価かつ簡単な構成で良質なGaN系半導体結晶膜を成長させる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供する。【解決手段】結晶成長装置20は、基板26がサセプターホルダ27とサセプター24とで結晶成長面を下方に向けた状態で反応容器21内に設置され、サセプターロッド22を上下移動させて、噴射口が基板26方向に向けて配設されたガス供給管28と基板26との位置調整が行われる。結晶成長装置20は、誘導加熱用コイル29に通電してサセプター24を加熱源として基板26を加熱して、ガス供給管28から原料ガスであるTMG、TMA、TMI、アンモニア、水素、窒素が供給されると、原料ガスが、基板26表面の中心から径方向に向かって外側に流れ、基板26の表面には、ガス供給管28から基板26の結晶成長面に向かって噴射された新鮮な原料ガスが常に供給されて、良質なGaN系半導体結晶膜が基板26表面に成長される。
請求項（抜粋）：
所定の反応容器内でサセプターに保持された基板を所定温度に加熱しつつガス供給管から原料ガスを前記基板に噴射し、気相反応させてAlxInyGa(1-x-y) N(ただし、x、y=0〜1)を含む結晶成長を行う結晶成長装置において、前記基板の結晶成長を行う側の表面は、重力と反対方向のベクトルに対して対向する方向に向いた状態で設置され、前記ガス供給管の前記原料ガスの吹き出し口が当該基板の結晶成長を行う側の表面に対して略垂直に対向する状態で配設されていることを特徴とする結晶成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/40 502
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/40 502 D
Fターム (40件)：
4G051BG06 ,  4G051BG14 ,  4G051BH05 ,  4G051BH11 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EG22 ,  4G077EG25 ,  4G077TG06 ,  4G077TG14 ,  4G077TH05 ,  4G077TH11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA02 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DP05 ,  5F045EF08 ,  5F045EK02 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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