特許

J-GLOBAL ID：200903040867008648

半導体ウエハとその製造方法

発明者： 内田 博章
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-123638
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223304
出願日： 2004年04月20日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】 製造工程が簡単でウエハ工程中に反りや割れの発生がなく、かつ光センサで正確な位置決めができるSOSやSOQ等の半導体ウエハとその製造方法を提供する。【解決手段】 周辺部に位置決め用の切り込み部が設けられた透光性を有するサファイア等の絶縁基板と、この絶縁基板の片面全体に形成されたシリコン薄膜とで構成される半導体ウエハにおいて、このシリコン薄膜の周辺部で切り込み部を含む領域にイオンを注入してシリコンをアモルファス化される。これにより、アモルファス化された箇所の透光性が無くなり、従来通りの光センサを用いた正確な位置決めができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

周辺部に位置決め用の切り込み部が設けられた透光性を有する絶縁基板と、該絶縁基板の片面全体に形成されたシリコン薄膜とで構成される半導体ウエハにおいて、 前記シリコン薄膜の内で、前記切り込み部を含む周辺部のシリコンをアモルファス化したことを特徴とする半導体ウエハ。

IPC (1件)：

H01L27/12

FI (1件)：

H01L27/12 S

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-017459   出願人：旭化成マイクロシステム株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-205346   出願人：旭化成マイクロシステム株式会社
• 表面モニター方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-083482   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (1件)

• 特開昭54-032062