特許
J-GLOBAL ID：200903040904275376

脆性材料基板の加工方法

発明者：
井村 淳史

井村 淳史 について


出願人/特許権者：
三星ダイヤモンド工業株式会社

三星ダイヤモンド工業株式会社 について


代理人 (2件)： 鹿島 義雄 ,  甲斐 寛人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-252093
公開番号（公開出願番号）：特開2009-083119
出願日： 2007年09月27日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】 分断予定ラインに沿って正確な位置に、基板内部まで深く浸透するクラックを確実に形成することができる加工方法を提供する。【解決手段】 ビームスポットBSを分断予定ラインPに沿って相対移動させることにより加熱する加熱工程と、冷却スポットをビームスポットが走査された軌跡に沿って相対移動させて冷却する冷却工程とによりクラックを形成する脆性材料基板の加工方法であって、(a)ビームスポットの幅より小さく絞った第一冷却スポットCS1を、ビームスポットの直後に追随させて相対移動させることにより、浅いクラックS2を進展する第一冷却工程と、(b)ビームスポットの幅以上に広げた第二冷却スポットCS2を、第一冷却スポットが走査された軌跡に沿って相対移動させることにより、先に形成された浅いクラックを基板の厚み方向に浸透させる第二冷却工程とが連続して行われるようにする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
脆性材料基板に分断予定ラインを設定し、レーザビームのビームスポットを前記分断予定ラインに沿って相対移動させることにより前記基板を軟化温度よりも低温にて加熱する加熱工程と、冷媒の噴射により形成される冷却スポットを前記ビームスポットが走査された軌跡に沿って相対移動させて冷却する冷却工程とにより、前記分断予定ラインに沿ってクラックを形成する脆性材料基板の加工方法であって、前記冷却工程は、 (a)前記冷却スポットの幅を前記ビームスポットの幅より小さく絞った第一冷却スポットを、前記ビームスポットの直後に追随させて相対移動させることにより、浅いクラックを進展する第一冷却工程と、 (b)前記冷却スポットの幅を前記ビームスポットの幅以上に広げた第二冷却スポットを、第一冷却スポットが走査された軌跡に沿って相対移動させることにより、先に形成された浅いクラックを基板の厚み方向に浸透させる第二冷却工程とが連続して行われることを特徴とする脆性材料基板の加工方法。
IPC (5件)：
B28D 5/00 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/14 ,  C03B 33/09 ,  C04B 41/80
FI (5件)：
B28D5/00 Z ,  B23K26/00 D ,  B23K26/14 Z ,  C03B33/09 ,  C04B41/80 Z
Fターム (19件)：
3C069AA02 ,  3C069BA08 ,  3C069BB01 ,  3C069BC01 ,  3C069CA03 ,  3C069CA05 ,  3C069CA06 ,  3C069CA11 ,  3C069DA06 ,  4E068AD01 ,  4E068CJ08 ,  4E068DA10 ,  4E068DB12 ,  4E068DB13 ,  4G015FA04 ,  4G015FA06 ,  4G015FB02 ,  4G015FC10 ,  4G015FC14
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM