半導体発光装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-338407
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142773
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】利得結合型DFBレ-ザダイオ-ドにおいて、利得領域と埋込領域との間の屈折率差を最小化し、利得結合係数を最大化し屈折率結合係数を最小化する。【解決手段】埋込領域を、第1のバンドギャップを有する第1の半導体材料よりなる複数の高屈折率層と、第2のより大きなバンドギャップを有する第2の半導体材料よりなる複数の高屈折率層の積層により形成する。

請求項（抜粋）：

電流注入によって光を増幅する多重量子井戸活性層と、前記多重量子井戸活性層の上下にあって前記多重量子井戸活性層に光を閉じ込めるクラッド層と、前記多重量子井戸活性層に電流を注入するための電極を有する半導体発光装置であって、前記多重量子井戸活性層は、光の伝搬方向に沿って周期的に配列した、各々多重量子井戸構造を有する複数の利得領域を含み、前記複数の利得領域の各々隣接する利得領域間のギャップを充填するように埋込層が形成されており、前記埋込層は、第1のバンドギャップを有する第1の半導体材料よりなる複数の高屈折率層と、第2のより大きなバンドギャップを有する第2の半導体材料よりなる複数の低屈折率層とを含むことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 5/12 , H01S 5/343

FI (2件)：

H01S 5/12 , H01S 5/343

Fターム (11件)：

5F073AA09 , 5F073AA53 , 5F073AA64 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073BA01 , 5F073CA12 , 5F073CB02 , 5F073CB11 , 5F073EA03 , 5F073EA29

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平2-237189
アナログ通信用半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-020789 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-155987

全件表示

審査官引用 (6件)

特開平2-237189
アナログ通信用半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-020789 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-155987

全件表示

前のページに戻る