特許
J-GLOBAL ID:200903040923080543

シリコンとLTCCを含む電子装置の製造方法及びそれにより製造された電子装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-551895
公開番号(公開出願番号):特表2004-537156
出願日: 2001年12月10日
公開日(公表日): 2004年12月09日
要約:
電子装置を製造する方法であって、第1部材と第2部材を両者の対向表面が互いに接触するように位置決めする段階であって、第1部材はシリコンから構成され、且つ第2部材は低温共焼成セラミック(LTCC)材料から構成される、段階を含む。更に、この方法は、気密封止を形成するために、第1部材と第2部材の対向表面を共に陽極接合により接合する段階を含む。陽極接合による接合は、接着剤を用いることなく、部材間の安全で強力な接合を提供することが可能である。本方法は、第1部材と第2部材の少なくとも1つにおいて少なくとも1つの冷却構造を形成する段階から更に構成される。少なくとも1つの冷却構造は、第1部材における少なくとも1つのマイクロ流体冷却構造と、少なくとも1つの第1マイクロ流体冷却構造との位置合わせがなされた第2部材における少なくとも1つの第2マイクロ流体冷却構造から構成されることが可能である。
請求項(抜粋):
電子装置を製造する方法であって: 第1部材と第2部材を両者の対向表面が互いに接触するように位置決めする段階であって、第1部材はシリコンから構成され、且つ第2部材は低温共焼成セラミック(LTCC)材料から構成される、段階;並びに 気密封止を形成するために、第1部材と第2部材の対向表面を共に陽極接合により接合する段階; から構成されることを特徴とする方法。
IPC (1件):
H01L23/473
FI (1件):
H01L23/46 Z
Fターム (3件):
5F036AA01 ,  5F036BA07 ,  5F036BB41
引用特許:
審査官引用 (3件)

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