特許
J-GLOBAL ID：200903040926499103
プラズマ処理用シャワープレート及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-017539
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228500
出願日： 2003年01月27日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】プラズマ組成の変化やコンタミネーションの発生を防ぐといったシリコンの優位性を生かしつつ、エッチングレートを一定に保ち、エッチング均一性を維持することができる長寿命のシャワープレートを提供する。【解決手段】プラズマ処理装置において上部電極として用いられ、反応ガスを噴出させるためのガス噴出口が形成されているシャワープレートであって、少なくともシャワープレートのガス噴出側の母材がシリコン7からなり、且つガスを噴出させる側の面におけるシリコン母材7の前記ガス噴出口5の周囲にザグリ穴が形成されており、該シリコン母材7のガス噴出口5のザグリ穴部分にシリコンよりも耐プラズマエッチング性が高い材質からなる膜6が形成されたものであることを特徴とするプラズマ処理用シャワープレート1。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
プラズマ処理装置において上部電極として用いられ、反応ガスを噴出させるためのガス噴出口が形成されているシャワープレートであって、少なくともシャワープレートのガス噴出側の母材がシリコンからなり、且つガスを噴出させる側の面におけるシリコン母材の前記ガス噴出口の周囲にザグリ穴が形成されており、該シリコン母材のガス噴出口のザグリ穴部分にシリコンよりも耐プラズマエッチング性が高い材質からなる膜が形成されたものであることを特徴とするプラズマ処理用シャワープレート。
IPC (3件)：
H01L21/3065
, B01J19/08
, H05H1/46
H01L21/302 101G
, B01J19/08 E
, H05H1/46 M
4G075AA30
, 4G075AA61
, 4G075BC06
, 4G075DA02
, 4G075DA18
, 4G075EB01
, 4G075EB42
, 4G075EC21
, 4G075EE12
, 4G075FA01
, 4G075FB02
, 4G075FB03
, 4G075FB04
, 5F004BA04
, 5F004BB29
, 5F004BB32
, 5F004BC08
