特許
J-GLOBAL ID：200903040990600454

半導体処理装置のクリーニング方法および高誘電率酸化膜のエッチング方法

発明者：
井上 實

井上 實 について

, 
大沢 正典

大沢 正典 について


出願人/特許権者：
大陽日酸株式会社

大陽日酸株式会社 について


代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-164380
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339523
出願日： 2005年06月03日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：
【課題】半導体処理装置のチャンバ内に付着した高誘電率酸化物からなる付着物をクリーニングする際、あるいは基板上に形成された高誘電率酸化膜をエッチングする際、付着物または高誘電率酸化膜を効率よく除去またはエッチングすることができるようにし、かつリモートプラズマ発生装置を構成する部材の劣化を抑えることができるようにする。【解決手段】アルゴンなどの非反応性ガス、酸素などの酸素原子供給性ガスおよび窒素酸化物などの酸化性ガスの少なくとも1種をリモートプラズマ発生装置12において活性化して、活性種を含むガスとし、このガスを三塩化ホウ素などのハロゲン系ガスとともチャンバ1に導入する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体処理装置のチャンバ内に生成した高誘電率酸化物からなる付着物を除去するクリーニング方法において、 非反応性ガス、酸素原子供給性ガスおよび酸化性ガスの少なくとも1種をリモートプラズマ発生装置において活性化して活性種を含むガスとし、このガスをハロゲン系ガスとともチャンバに導入することを特徴とする半導体処理装置のクリーニング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 J ,  H01L21/302 101H
Fターム (37件)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA10 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F004AA15 ,  5F004BA03 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA11 ,  5F004DA17 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EE19 ,  5F045EF05 ,  5F045EH18
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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