特許
J-GLOBAL ID：200903066185095998
高誘電率材料のエッチング方法及び高誘電率材料の堆積チャンバーのクリーニング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-198897
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146787
出願日： 2003年07月18日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】1つの態様において、基材から二酸化ケイ素よりも高い誘電率の物質を除去するための方法であって、エッチング及び/又はクリーニング用途のための基材からの物質の除去方法を開示する。【解決手段】ハロゲン含有化合物、ホウ素含有化合物、水素含有化合物、窒素含有化合物、キレート化性化合物、炭素含有化合物、クロロシラン、ヒドロクロロシラン又はオルガノクロロシランからなる群より選ばれる少なくとも1つを含む反応試薬と前記物質を反応させて、揮発性生成物を生成させ、そして基材から揮発性生成物を除去し、それにより基材から物質を除去する方法を提供する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
反応器の表面から物質をクリーニングするための方法であって、
(a)前記反応器の表面は前記物質の被膜によって少なくとも部分的に被覆されており、(b)前記物質は遷移金属酸化物、遷移金属珪酸塩、第13族金属酸化物、第13族金属珪酸塩、窒素含有第13族金属酸化物、窒素含有第13族金属珪酸塩、窒素含有遷移金属酸化物もしくは窒素含有遷移金属珪酸塩、又は、遷移金属酸化物、遷移金属珪酸塩、第13族金属酸化物、第13族金属珪酸塩、窒素含有遷移金属酸化物、窒素含有遷移金属珪酸塩、窒素含有第13族金属酸化物もしくは窒素含有第13族金属珪酸塩からなる群より選ばれる少なくとも1層の層を含むラミネート、からなる群より選ばれる少なくとも1つであり、(c)前記物質は二酸化珪素の誘電率より大きい誘電率を有する、前記反応器の表面を有する反応器を提供すること、
前記物質を、ハロゲン含有化合物、ホウ素含有化合物、炭素含有化合物、水素含有化合物、窒素含有化合物、キレート化性化合物、クロロシラン化合物、ヒドロクロロシラン化合物又はオルガノクロロシラン化合物からなる群より選ばれる少なくとも1つを含む反応試薬と反応させて、揮発性生成物を生成すること、
前記反応器から前記揮発性生成物を除去し、それにより、前記表面から前記物質を除去すること、
を含む、方法。
IPC (4件)：
H01L21/31
, B01J19/08
, C23C16/44
, H01L21/3065
H01L21/31 Z
, B01J19/08 E
, C23C16/44 J
, H01L21/302 101H
4G075AA37
, 4G075AA51
, 4G075BA05
, 4G075BC04
, 4G075BC06
, 4G075BD14
, 4G075CA47
, 4G075CA57
, 4G075DA02
, 4G075EB01
, 4K030DA06
, 4K030DA08
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030KA08
, 5F004AA15
, 5F004BD07
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DA29
, 5F004EA38
, 5F004EB08
, 5F045AA05
, 5F045AB31
, 5F045BB14
, 5F045EB06
