半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-327615
公開番号（公開出願番号）：特開2005-229093
出願日： 2004年11月11日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：

【目的】バリアメタルやCuなどの配線材料の層間絶縁膜への拡散を防ぐことができる半導体装置或いは半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】基体10の上に、多孔質絶縁膜30を形成する多孔質絶縁膜形成工程(S104)と、形成された多孔質絶縁膜30の上に、SiOC絶縁薄膜70を形成するSiOC絶縁膜形成工程(S108)と、前記多孔質絶縁膜30とSiOC絶縁薄膜70をCF4とN2とArとの混合ガスのプラズマの雰囲気に晒し、前記多孔質絶縁膜30とSiOC絶縁薄膜70に連続する開口部50を形成する開口部形成工程(S110〜S114)と、前記開口部50にバリアメタル膜80やCuを堆積させる導電性材料堆積工程(S116〜S120)とを備えたことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体の上に、シリコン(Si)と、炭素(C)と、を含有する第1の絶縁性材料を用いた第1の薄膜を形成する第1の薄膜形成工程と、前記第1の薄膜の上に、多孔質状の第2の絶縁性材料を用いた第2の薄膜を形成する第2の薄膜形成工程と、前記第2の薄膜の上に、シリコン(Si)を含有する第3の絶縁性材料を用いた第3の薄膜を形成する第3の薄膜形成工程と、前記第3の薄膜の上に、シリコン(Si)と、炭素(C)と、を含有する第4の絶縁性材料を用いた第4の薄膜を形成する第4の薄膜形成工程と、前記第4の薄膜から前記第2の薄膜に連続する開口部を形成する開口部形成工程と、前記開口部を介して前記第1の薄膜をエッチングするとともに、前記エッチングにおいて生成される反応副生成物を前記開口部の内壁面に堆積させるエッチング工程と、前記開口部に導電性材料を充填させる導電性材料堆積工程と、を備え、前記第4の絶縁性材料に含まれる炭素(C)の含有量は、前記第3の絶縁性材料に含まれる炭素(C)の含有量よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/768 , H01L21/3065 , H01L21/3205

FI (4件)：

H01L21/90 N , H01L21/90 P , H01L21/88 R , H01L21/302 101B

Fターム (43件)：

5F004AA05 , 5F004BA04 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004DA01 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DB00 , 5F004EA12 , 5F004EA23 , 5F004EA28 , 5F004EB03 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ25 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR24 , 5F033RR29 , 5F033SS21 , 5F033TT07 , 5F033XX14 , 5F033XX18 , 5F033XX24 , 5F033XX25

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-164226 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-328233 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
特開平3-254122

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審査官引用 (4件)

半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-328233 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
特開平3-254122
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-294231 出願人：株式会社リコー

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