特許
J-GLOBAL ID：200903041082568429

ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
西 恒寛

西 恒寛 について

, 
橘 誠一郎

橘 誠一郎 について

, 
小林 克浩

小林 克浩 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-321631
公開番号（公開出願番号）：特開2008-134528
出願日： 2006年11月29日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：
【課題】ArFリソグラフィー技術において、高い解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さく、矩形性の高いパターンを与えることができるポジ型レジスト材料、及びそのパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、樹脂成分(A)が式(1)の繰り返し単位を有する高分子化合物であり、かつ酸を発生する化合物(B)がスルホニウム塩化合物であるポジ型レジスト材料。(R1はH,CH3又はCF3,R2はヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基、m,nは1又は2,pは0,1又は2,qは0又は1,a,b,c,dは0.01以上1未満、a+b+c+d=1である。)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、樹脂成分(A)が下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物であり、かつ酸を発生する化合物(B)が下記一般式(2)で示されるスルホニウム塩化合物であることを特徴とする、ポジ型レジスト材料。
IPC (5件)：
G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/11 ,  C08F 220/28
FI (5件)：
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/11 501 ,  C08F220/28
Fターム (27件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025DA03 ,  4J100AJ02S ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15S ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC53R ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM