特許
J-GLOBAL ID:200903041096049963

多接合型シリコン系薄膜光電変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-323883
公開番号(公開出願番号):特開2009-147172
出願日: 2007年12月14日
公開日(公表日): 2009年07月02日
要約:
【課題】 優れた光学的特性を示す中間層を作製する技術を開発することにより、各シリコン系薄膜光電変換ユニットで発生する電流を高い値でバランスさせた、変換効率の高い多接合型シリコン系光電変換装置を提供するものである 【解決手段】 本発明の多接合型シリコン系薄膜光電変換装置は、中間層を介して直列接続された薄膜光電変換装置であって、前記中間層は透明酸化物層/カーボン層/透明酸化物層の順に積層されることにより、カーボン層を介した電気的な直列接続が可能になり課題を解決する。 【選択図】 なし
請求項(抜粋):
中間層を介して直列接続されたシリコン系薄膜光電変換ユニットを備えた多接合型シリコン系薄膜光電変換装置であって、該中間層が透明酸化物層/カーボン層/透明酸化物層の順に積層された層を少なくとも一つ含むことを特徴とする多接合型シリコン系薄膜光電変換装置。
IPC (1件):
H01L 31/04
FI (2件):
H01L31/04 W ,  H01L31/04 Y
Fターム (18件):
5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CB12 ,  5F051CB13 ,  5F051CB15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA18 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03
引用特許:
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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