薄膜太陽電池

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-376305
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179241
出願日： 2001年12月10日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】半導体接合部の凹凸構造に起因して短絡電流が低下するという従来の問題を解消するとともに、光閉じ込め効率をも高めることができる薄膜太陽電池を提供する。【解決段】透光性基板、第1の透明導電膜、少なくともひとつの半導体接合を有する半導体多層膜、第2の透明導電膜、および金属膜を順次積層するとともに、前記第2の透明導電膜と金属膜との界面、および前記半導体多層膜と第2の透明導電膜との界面が凹凸形状になっている薄膜太陽電池において、前記第2の透明導電膜と金属膜との界面の凹凸形状の平均高低差が、前記半導体多層膜と第2の透明導電膜との界面の凹凸形状の平均高低差以上であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

透光性基板、第1の透明導電膜、少なくともひとつの半導体接合を有する半導体多層膜、第2の透明導電膜、および金属膜を順次積層するとともに、前記第2の透明導電膜と金属膜との界面、および前記半導体多層膜と第2の透明導電膜との界面が凹凸形状になっている薄膜太陽電池において、前記第2の透明導電膜と金属膜との界面の凹凸形状の平均高低差が、前記半導体多層膜と第2の透明導電膜との界面の凹凸形状の平均高低差以上であることを特徴とする薄膜太陽電池。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/205 , H01L 31/04 M , H01L 31/04 F , H01L 31/04 W

Fターム (24件)：

5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AB40 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F051AA01 , 5F051BA13 , 5F051CA15 , 5F051CA20 , 5F051CB12 , 5F051CB18 , 5F051DA04 , 5F051DA17 , 5F051DA20 , 5F051FA03 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051FA15 , 5F051FA19 , 5F051FA23 , 5F051GA03 , 5F051GA05 , 5F051GA14

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭63-143875
太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-140692 出願人：ティーディーケイ株式会社
光電変換装置作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-179181 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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