特許
J-GLOBAL ID：200903095414558239

積層型光電変換装置及びその製造方法

発明者：
佐々木 敏明

佐々木 敏明 について

, 
山本 憲治

山本 憲治 について


出願人/特許権者：
株式会社カネカ

株式会社カネカ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-367536
公開番号（公開出願番号）：特開2005-135987
出願日： 2003年10月28日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】 高性能かつ低コストな積層型光電変換装置を提供する。【解決手段】 本発明によると、光入射側から一導電型層と実質的に真性半導体の光電変換層と逆導電型層の順で構成される光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置において、第一光電変換ユニット3と該第一光電変換ユニットよりも光入射側から見て後方側に隣接して配置される第二光電変換ユニット4とを一組以上含み、前記第一光電変換ユニット3内の逆導電型層33または前記第二光電変換ユニット4内の一導電型層41のうち片方もしくは両方が非晶質酸素化シリコンを少なくとも一部含む導電型層であって、前記非晶質酸素化シリコンは波長600nmの光に対する屈折率が2.2未満であることを特徴とすることによって課題を解決する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
光入射側から一導電型層と実質的に真性半導体の光電変換層と逆導電型層の順で構成される光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置において、第一光電変換ユニットと該第一光電変換ユニットよりも光入射側から見て後方側に隣接して配置される第二光電変換ユニットとを一組以上含み、前記第一光電変換ユニット内の逆導電型層または前記第二光電変換ユニット内の一導電型層のうち片方もしくは両方が非晶質酸素化シリコンを少なくとも一部含む導電型層であって、前記非晶質酸素化シリコンは波長600nmの光に対する屈折率が2.2未満であることを特徴とする積層型光電変換装置。
IPC (2件)：
H01L31/04 ,  H01L21/205
FI (3件)：
H01L31/04 Y ,  H01L21/205 ,  H01L31/04 W
Fターム (27件)：
5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA57 ,  5F045DA64 ,  5F045DA65 ,  5F045EE12 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CB15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051DA18 ,  5F051EA16 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051GA03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (16件)
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