圧電体薄膜素子およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-250134
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077740
出願日： 1998年09月03日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】白金を下電極としてこの上に圧電体薄膜を形成する場合、界面の整合性を得ることが困難であった。【解決手段】下電極として導電性酸化物を主体とした材料をもちいる。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に下電極を配置し、前記下電極上に圧電体薄膜を配置し、前記圧電体薄膜上に上電極を配置した圧電体薄膜素子において、前記下電極が前記圧電体薄膜と前記下電極もしくは前記基板との間における原子の相互拡散にたいしてバリア層の役割を果たすことを特徴とする圧電体薄膜素子。

IPC (2件)：

H01L 41/22 , H01L 41/09

FI (2件)：

H01L 41/22 Z , H01L 41/08 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

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