トランジスタ及びその作製方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-407943
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167164
出願日： 2003年12月05日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】ゲート長を短くして短チャネル化し、且つ暗電流を低減したトランジスタ及びその製造方法を低コストで提供する。【解決手段】基板6の上にソース(またはドレイン)電極層1、半導体層4、ドレイン(またはソース)電極層2を順次積層し、これら積層部分の周囲にある側壁を取り囲むように電気絶縁層5及びゲート電極3を順次有するトランジスタ構造である。この図の例では、電気絶縁層5は電極層2を覆ってこれを保護している。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に第1電極層、半導体層、第2電極層が順次積層されて積層体をなしており、第1電極層と第2電極層はその一方がソース電極,他方がドレイン電極であり、前記積層体の壁に接して設けられた電気絶縁層の上に前記積層体の周囲の少なくとも2箇所にゲート電極が形成されていることを特徴とするトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (4件)：

H01L29/78 626A , H01L29/78 617K , H01L29/78 618B , H01L29/28

Fターム (27件)：

5F110AA16 , 5F110CC09 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-303217 出願人：株式会社リコー
装置、有機トランジスタ及び能動有機デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-138784 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

審査官引用 (4件)

縦型薄膜半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-105022 出願人：ティーディーケイ株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所
有機半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-272234 出願人：セイコーエプソン株式会社
サイドゲート型有機FET及び有機EL
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-086669 出願人：関西ティー・エル・オー株式会社

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