特許

J-GLOBAL ID：200903041218133928

半導体装置の製造方法

発明者： 岡田 紀雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-315003
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162280
出願日： 1995年12月04日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】多層配線構造において、金属配線のパターンを精度良く形成する。【解決手段】半導体基板1上に形成された金属配線2上に層間絶縁膜5を形成する工程と、層間絶縁膜5上に反射防止膜10を形成しその上にフォトレジストを形成する工程と、露光されたフォトレジストをマスクとして反射防止膜10および層間絶縁膜5のエッチングを行う工程とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の金属配線を選択的に形成する工程と、前記第2の金属配線および半導体基板を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストを選択的に露光する工程と、前記選択的に露光されたフォトレジストをマスクとして前記層間絶縁膜と反射防止膜とを選択的に除去する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/302 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ホトリソグラフイーのハレーシヨン防止方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-228888   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-156537
  
• 研磨による配線層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-282007   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-300255   出願人：日本電気株式会社