特許

J-GLOBAL ID：200903041223359624

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 近藤 誠一 ,  尹 普彦 ,  時藤 俊一
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大塚 環
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-407088
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167120
出願日： 2003年12月05日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】 強度の弱い、Low-k膜に、Cu配線を形成する場合にも、ストレスマイグレーションの発生を抑えることができるようにする。【解決手段】 基板上に、低誘電率絶縁膜を形成し、この低誘電率膜に半導体装置において、実際に配線として機能するCu配線と、実際には配線として機能しないダミーCu配線とを形成する。ここで、ダミーCu配線と、Cu配線との距離は所定の距離以下とし、ダミーCu配線により、Cu配線の少なくとも一部が囲まれるようにダミーCu配線を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に、低誘電率絶縁膜を形成する低誘電率絶縁膜形成工程と、 前記低誘電率絶縁膜に、Cu配線と、前記Cu配線の少なくとも一部を囲むダミーCu配線とを形成するCu配線形成工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/3205 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (4件)：

H01L21/88 S ,  H01L21/88 M ,  H01L21/82 W ,  H01L27/04 D

Fターム (49件)：

5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH28 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM21 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033UU03 ,  5F033VV01 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW09 ,  5F033XX01 ,  5F033XX06 ,  5F033XX19 ,  5F033XX24 ,  5F038CD10 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F064EE08 ,  5F064EE14 ,  5F064EE15 ,  5F064EE17 ,  5F064EE19 ,  5F064EE60 ,  5F064GG03 ,  5F064GG10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-328273   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-096641   出願人：株式会社東芝
• Cu配線の形成方法およびCu配線構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-196200   出願人：株式会社日立製作所