波長変換物質を有する光電子半導体素子、半導体素子を有する光電子半導体コンポーネント、および光電子半導体素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鷲田公一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-511331
公開番号（公開出願番号）：特表2009-537996
出願日： 2007年05月18日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：

本発明は、波長変換物質を有する光電子半導体素子、そのような半導体素子を有する光電子半導体コンポーネント、および光電子半導体素子の製造方法を提供する。本発明の半導体素子は、第1波長範囲の光を正面から発することに適した半導体層積層体を有する半導体ボディと、前記半導体ボディの正面の少なくとも1つの第1部分領域に配置され、第1波長変換物質を含む第1波長変換層と、を有し、前記第1波長変換物質は、前記第1波長範囲の光を、前記第1波長範囲とは異なる第2波長範囲の光に変換する、光電子半導体素子であって、前記半導体ボディの正面の少なくとも1つの第2部分領域は、前記第1波長変換層によって覆われていない。【選択図】図1C

請求項（抜粋）：

第1波長範囲の光を正面(2)から発することに適した半導体積層体を有する半導体ボディ(1)と、前記半導体ボディ(1)の正面(2)にある第1部分領域(5)の少なくとも一つに配置され、第1波長変換物質(7)を含む第1波長変換層(6)と、を有する光電子半導体素子(18)であって、前記第1波長変換物質(7)は、前記第1波長範囲の光を、前記第1波長範囲とは異なる第2波長範囲の光に変換し、前記半導体ボディ(1)の正面(2)にある第2部分領域(8)の少なくとも一つは、前記第1波長変換層(6)によって覆われていない、光電子半導体素子(18)。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 F , H01L33/00 N

Fターム (9件)：

5F041AA11 , 5F041CB36 , 5F041DA12 , 5F041DA19 , 5F041DA36 , 5F041DA42 , 5F041DA44 , 5F041DA45 , 5F041DB09

引用特許：

審査官引用 (5件)

発光ダイオード、照明装置及び照明装置の製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-567054 出願人：ルミレスライティングベスローテンフェンノートシャップ
光源装置および蛍光パターンシート、それらの製造方法、ならびにそれを用いた液晶ディスプレイ装置、照明装置、掲示灯、表示灯および押しボタンスイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-101278 出願人：和泉電気株式会社
波長変換型半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-045325 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー

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