特許
J-GLOBAL ID：200903041271911886

マイクロ機械加工された超音波トランスデューサ及び製造方法

発明者：
クーリ ヤクブ バトラス ティー

クーリ ヤクブ バトラス ティー について

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ホワン ヨングリ

ホワン ヨングリ について

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アーグン アリフ エス

アーグン アリフ エス について


出願人/特許権者：
ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・レランド・スタンフォード・ジュニア・ユニバーシティ

ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・レランド・スタンフォード・ジュニア・ユニバーシティ について


代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-527860
公開番号（公開出願番号）：特表2006-516368
出願日： 2003年08月08日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：
マイクロ機械加工された超音波トランスデューサ(MUT)とその製造方法。トランスデューサの膜は、空洞に溶融接合され、セルを形成する。犠牲材料のウェハ上に膜が形成される。このため、溶融接合のための取り扱いができる。次に、犠牲材料は除去されて、膜が残る。シリコン、窒化珪素等の膜を犠牲材料の上に形成することができる。cMUT、pMUT、mMUTについても述べる。
請求項（抜粋）：
マイクロ製作された超音波トランスデューサを製造する方法であって、 シリコンキャリヤウェハを選択し、 酸化物層上に支持された薄いシリコンを有する絶縁体上シリコンウェハを選択し、 前記シリコンウェハ又は前記絶縁体上シリコンウェハの前記シリコン層を熱酸化して、所定の厚さの酸化珪素層を形成し、 所定の大きさと形状の開口部を有するマスクを適用し、前記酸化物層の領域を露出し、 前記露出した開口部の前記酸化物層をエッチング除去して、酸化物壁を画定し、 前記薄いシリコン層が前記シリコンキャリヤウェハに面しそこから間隔をあけるようにして、前記酸化物層により2つのウェハを接合し、それによりセルが形成され、 前記ウェハと前記絶縁体上シリコンウェハの前記酸化物層を除去して、前記酸化珪素層により、前記シリコンキャリヤウェハから間隔をあけて支持された前記薄いシリコン膜を残すステップを備えることを特徴とする方法。
IPC (8件)：
H04R 31/00 ,  A61B 8/00 ,  G01N 29/24 ,  H04R 17/00 ,  H04R 19/00 ,  H04R 23/00 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/08
FI (8件)：
H04R31/00 330 ,  A61B8/00 ,  G01N29/24 502 ,  H04R17/00 332A ,  H04R19/00 330 ,  H04R23/00 330 ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 D
Fターム (21件)：
2G047CA01 ,  2G047GB02 ,  2G047GB13 ,  2G047GB17 ,  2G047GB21 ,  2G047GB32 ,  2G047GB33 ,  4C601EE09 ,  4C601GB01 ,  4C601GB03 ,  4C601GB04 ,  4C601GB06 ,  4C601GB18 ,  4C601GB41 ,  4C601GB42 ,  4C601GB44 ,  4C601GB48 ,  5D019BB17 ,  5D019DD01 ,  5D019DD03 ,  5D019HH01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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