特許

J-GLOBAL ID：200903041338318867

窒化物半導体レーザ素子

発明者： 小崎 徳也 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-256452
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299532
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 ガイド層や活性層等の結晶性を向上させ、長波長のレーザ光を得ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 n型クラッド層4及び/又はp型クラッド層9が、活性層6に接近するにつれて、Al組成が少なくなるように組成傾斜されているAl<SB>a</SB>Ga<SB>1</SB><SB>-a</SB>N(0≦a<1)を有する第1の窒化物半導体を含んでなり、前記活性層6が、In<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0≦b<1)を含んでなる量子井戸構造であり、n型ガイド層5及び/又はp型ガイド層8が、活性層6に接近するにつれて、Inの組成が多くなるように組成傾斜され、但しInの組成が活性層の井戸層のInの組成より少ないようにされているIn<SB>d</SB>Ga<SB>1-d</SB>N(0≦d<1)を有する第2の窒化物半導体を含んでなる。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくともn型クラッド層、n型ガイド層、活性層、p型ガイド層及びp型クラッド層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記n型及び/又はp型クラッド層が、活性層に接近するにつれて、Al組成が少なくなるように組成傾斜されているAl<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0≦a<1)を有する第1の窒化物半導体を含んでなり、前記活性層が、In<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0≦b<1)を含んでなる量子井戸構造であり、前記n型及び/又はp型ガイド層が、活性層に接近するにつれて、Inの組成が多くなるように組成傾斜され、但しInの組成が活性層の井戸層のInの組成より少ないようにされているIn<SB>d</SB>Ga<SB>1-d</SB>N(0≦d<1)を有する第2の窒化物半導体を含んでなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C

Fターム (14件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F073AA51 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA76 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-021557   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-364012   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-285404   出願人：日亜化学工業株式会社