特許

J-GLOBAL ID：200903041376948866

AlGaInP発光ダイオード

発明者： 竹内 良一 ,  鍋倉 亙 ,  松沢 圭一 ,  宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-347646
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168381
出願日： 1999年12月07日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】順方向電圧(Vf)を高くすることなく、LEDの駆動電流を発光部へ広く拡散させる透明導電膜をLEDの半導体層上に形成することができ、かつLEDの発光部からの発光を外部へ効率よく取り出すことができるAlGaInPLEDを提供する。【解決手段】LEDの駆動電流を、台座電極から透明導電膜を通ってオーミック電極へ流し、さらにコンタクト層を通って半導体層の中の発光部に流す。半導体層に流入したLEDの駆動電流は、電流を拡散する効果を有する層、例えば上部クラッド層等により、オーミック電極およびコンタクト層の周辺で広がって発光層に流れる。

請求項（抜粋）：

裏面に第1の電極が形成された第1導電型の砒化ガリウム(GaAs)単結晶からなる基板と、該基板上に積層されたリン化アルミニウム・ガリウム・インジウム(AlGaInP)からなる発光部を含む半導体層と、該半導体層の表面の一部に設けられた第2導電型のコンタクト層と、該コンタクト層上に形成された金属被膜からなるオーミック電極と、前記半導体層、コンタクト層およびオーミック電極を覆って形成された透明導電膜と、該透明導電膜の表面の一部に形成された台座電極とを少なくとも具備するAlGaInP発光ダイオード。

FI (2件)：

H01L 33/00 B ,  H01L 33/00 E

Fターム (13件)：

5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA91 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-128077   出願人：晶元光電股ふん有限公司
• 化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-328558   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-019828   出願人：株式会社東芝