特許
J-GLOBAL ID：200903004414834923
半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-019828
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220165
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 材料ロスを少なくしてペレットの収率を向上させ、且つウェハ状態で素子全数のチェックができて量産性を向上させること。【解決手段】 通電領域に相当する部分を除去後、選択エッチングして電流阻止層をウェハ面内に形成する。真空中で電流阻止層を含むウェハ表面全面にAuZnを蒸着し、真空中にArと酸素の混合ガスを導入して加熱しながら酸化インジウム錫をDCスパッタ装置で形成する。GaAs基板の裏面にAuGe電極を含むAu電極を蒸着形成した後、Arガス雰囲気中で熱処理を行って、Au電極をパタ-ニングしてボンディング用電極を形成する。発光部をレジストで覆い、パターン細線幅を電極間に形成した後、ドライエッチング装置でドライエッチングして素子間を電気的に分離する垂直方向の溝を形成する。レジスト剥離後、電気的に分離された素子の特性チェックを行う。スクライブ装置のダイヤモンド針でウェハ裏面から素子サイズに罫書き後、ブレイキングにより各素子を完全分離する。
請求項（抜粋）：
光を発生する活性層を含む複数の化合物半導体層を基板上に積層して形成される半導体発光素子の製造方法において、前記基板上に連続的に形成された複数の半導体発光素子を隣接する素子と区分する境界に沿ってドライエッチングにより各素子を電気的に分離する深さの溝を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
引用特許：
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