特許
J-GLOBAL ID：200903041384808623

ウエーハの研削加工方法

発明者：
吉田 真司

吉田 真司 について

, 
長井 修

長井 修 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (1件)： 末成 幹生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-277525
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098351
出願日： 2006年10月11日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】粗研削後に仕上げ研削を施す2段階研削によって凹部を形成する裏面研削を行うにあたり、仕上げ研削後もデバイス形成領域の当初の面積を確保することができ、半導体チップの取得数の減少を招くことなく、効率的に研削加工を実施する。【解決手段】粗研削ユニット40Aの粗研削砥石ホイール45によってウエーハ1の裏面のデバイス形成領域4に対応する領域に凹部1Aを形成し、同時にその周囲の環状凸部5Aを形成する。次いで、仕上げ研削ユニット40Bの仕上げ研削砥石ホイール45によって凹部1Aの内周側面5Bを先に研削してから、続けて底面4aを研削する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
複数のデバイスが表面に形成されたデバイス形成領域を有するウエーハの研削加工方法であって、 該ウエーハを、裏面が露出する状態で回転可能なチャックテーブル上に保持し、該裏面の前記デバイス形成領域に対応する領域を、環状、もしくは環状に配列された回転式の第1の砥石により研削して、ウエーハの裏面側に凹部を形成することで、デバイス形成領域の周囲に裏面側に突出する環状凸部を形成する第1研削工程と、 環状、もしくは環状に配列された回転式の砥石であって、前記第1の砥石よりも砥粒径が小さく、かつ、該第1の砥石と同等もしくは同等以上の研削外径を有する第2の砥石によって、前記凹部の内面である該凹部の底面および前記環状凸部の内周側面を研削する第2研削工程と を備えることを特徴とするウエーハの研削加工方法。
IPC (1件)：
H01L 21/304
FI (1件)：
H01L21/304 631
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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