薄膜形成方法及び薄膜形成装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：樺山亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-127046
公開番号（公開出願番号）：特開平11-323543
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1999年11月26日
要約：

【要約】【課題】この発明は、単純に直流電源と高周波電源とのどちらかの出力を動かすと、ターゲット破壊など致命的な事故に至る可能性があるという課題を解決しようとするものである。【解決手段】この発明は、スパッタ法により非絶縁性のターゲットを用いて薄い膜を形成し、この薄い膜を形成する際に直流電力をローパスフィルタ20を介して高周波電力と重畳してターゲット14に供給する薄膜形成方法において、高周波電力のみを周期的に減少若しくは停止させる。

請求項（抜粋）：

スパッタ法により非絶縁性のターゲットを用いて薄い膜を形成し、この薄い膜を形成する際に直流電力をローパスフィルタを介して高周波電力と重畳して前記ターゲットに供給する薄膜形成方法において、前記高周波電力のみを周期的に減少若しくは停止させることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , C23C 14/35 , C23C 14/54

FI (3件)：

C23C 14/34 S , C23C 14/35 C , C23C 14/54 B

引用特許：

審査官引用 (12件)

成膜方法及び該成膜方法により製造された膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-328188 出願人：キヤノン株式会社
薄膜作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-176431 出願人：アネルバ株式会社
特開平3-249171

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