特許
J-GLOBAL ID：200903041481165028
半導体記憶装置およびその救済方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-099937
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291394
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】 本来の容量から不良領域に応じた任意容量のメモリーとしてフレキシブルに救済し、不良内容により一部動作のみ制限して他の動作は可能とする。【解決手段】 外部から書き込み可能な不揮発性記憶領域に記憶させた不良メモリーセルのデータに基づいて、不良メモリーセル領域(ブロック、バンクまたはそれ以上に狭い領域も可)を非選択状態にし、それ以外の領域は選択可能とする。不良ビットを予備メモリーセルに置換してもなお不良が残る場合に、その不良領域分だけを非選択化して、良品ビットを最大限活用する。さらに、アドレス変換手段によって選択可能領域に外部アドレスを連続的に割り当てることにより、不良領域が断片的に存在しても、外部から連続したアドレスでアクセスできる。
請求項（抜粋）：
複数のメモリーセルからなるメモリーセル領域と、外部から書き込み可能な不揮発性記憶領域と、該不揮発性記憶領域に書き込まれたデータに基づいて、メモリーセル領域の一部を非選択状態にする非選択化手段とを備え、非選択状態にされていない選択可能メモリーセル領域により動作を行う半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 29/00 603
, G06F 12/16 310
, G11C 16/06
G11C 29/00 603 B
, G06F 12/16 310 R
, G11C 17/00 639 Z
5B018GA06
, 5B018HA24
, 5B018KA01
, 5B018KA15
, 5B018KA18
, 5B018NA06
, 5B018NA10
, 5B018RA11
, 5B025AD01
, 5B025AD13
, 5B025AE00
, 5L106AA01
, 5L106AA10
, 5L106CC09
, 5L106CC11
, 5L106CC21
, 5L106CC31
, 5L106CC32
, 5L106GG07
