電極構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127110
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324798
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】超音波ワイヤボンディング法で金属製ワイヤを電極に溶接する際に超音波振動による絶縁膜への影響が生じにくい電極構造を提供する。【解決手段】半導体装置上の一主面に下層電極1、2を複数個有し、下層電極は帯状に並んでおり、絶縁膜を介して下層電極間をまたいでいる金属製の上層電極3を有し、上層電極には金属製ワイヤ5が超音波ボンディング法によって溶接される電極構造において、金属製ワイヤをボンディングする際における、少なくとも金属製ワイヤの溶接部6直下における超音波の振動ベクトルの方向8と、下層電極の輪郭線7の一部または全部とが斜めまたは平行をなすべく構成されている電極構造。振動ベクトルの方向と下層電極の輪郭線が斜めに交差しているため、下層電極の輪郭線に沿って伸びている絶縁膜にとって、ストレスを受け易い方向の超音波振動成分が小さくなるため、ストレスを受け難くなる。

請求項（抜粋）：

半導体装置上の一主面に臨んで、一種もしくは複数種の下層電極を複数個有し、前記下層電極は帯状を成して並んでおり、絶縁膜を介して前記下層電極間をまたいでいる金属製の上層電極を有し、前記上層電極には金属製ワイヤが超音波ボンディング法によって溶接される電極構造において、前記金属製ワイヤをボンディングする際における、少なくとも前記金属製ワイヤの溶接部直下における超音波の振動ベクトルの方向と、前記下層電極の輪郭線の一部もしくは全部とが斜めもしくは平行をなすべく構成されていることを特徴とする電極構造。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/60 301

FI (3件)：

H01L 21/60 301 P , H01L 21/88 T , H01L 21/88 A

Fターム (7件)：

5F033MM21 , 5F033VV07 , 5F033XX17 , 5F033XX19 , 5F044EE06 , 5F044EE11 , 5F044EE21

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-299868 出願人：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-020103 出願人：富士電機株式会社
特開昭57-095642

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