特許

J-GLOBAL ID：200903095974520547

半導体装置およびその製造方法

発明者： 池田 良成 ,  菊地 昌宏 ,  吉越 康二
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020103
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222826
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】太線化されたボンディングワイヤを有し、半導体チップに機械的損傷がなく、ボンディングワイヤと半導体チップの接合状態が安定した半導体装置とその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体チップ100の電極膜7の厚みを3.5μmから10μmにすることで、ボンディングワイヤ(アルミワイヤ12)の直径を300μm以上に太線化しても、層間絶縁膜6やn半導体基板1にクラックを発生させることなく、超音波ボンディングできる。

請求項（抜粋）：

拡散領域を有する半導体基板上に絶縁膜を介して形成した電極膜と、該電極膜に超音波ボンディングで接合したボンディングワイヤを有する半導体装置において、電極膜の膜厚を3.5μm以上で、10μm以下とすることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/607

FI (3件)：

H01L 21/60 301 N ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/607 B

Fターム (2件)：

5F044EE01 ,  5F044EE13

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭63-166273
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-080801   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-028113   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
• 特開昭55-005129
  
• 高出力半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-177645   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭63-166273