紫外光による光素子耐光損傷処理方法及び耐光損傷光波長変換素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-273079
公開番号（公開出願番号）：特開2003-084326
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム単結晶よりなる光素子は、光が照射されると結晶内部に光損傷といわれている屈折率変動が生じる。これを解決するため採られてきた従来の解決手段は、結晶素子を100〜200°Cに範囲で加熱すること、あるいは特定の添加物が添加された単結晶を選択すること、によるものであったが、前者は、簡単な解決手段であるとは言えず、また後者の特定添加物に基づく材料選定による方法も限界があり、充分とは言えない。【解決手段】光損傷を起こしている光素子に対して、400nm以下の紫外光を照射するだけでその場で、直ちに解消、抑制、防止することが出来る。

請求項（抜粋）：

ニオブ酸リチウム単結晶又はタンタル酸リチウム単結晶よりなる光素子に、波長300以上400nm以下の紫外光を照射することによって、該素子に生じる光誘導屈折率変動(光損傷)を抑制等制御することを特徴とする光素子耐光損傷処理方法。

IPC (3件)：

G02F 1/37 , G02F 1/03 505 , G02F 1/39

FI (3件)：

G02F 1/37 , G02F 1/03 505 , G02F 1/39

Fターム (10件)：

2H079AA02 , 2H079AA12 , 2H079HA25 , 2K002AB12 , 2K002BA01 , 2K002CA03 , 2K002FA30 , 2K002GA05 , 2K002HA20 , 2K002HA21

引用特許：

審査官引用 (1件)

短波長光発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-034369 出願人：松下電器産業株式会社

前のページに戻る