半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-089247
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251710
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

【課題】互いに離間している複数の範囲にトレンチゲート型チャネル構造が形成されているとともに、耐圧が高い半導体装置を提供する。【解決手段】第1ボディ領域と第1トレンチゲート電極群が第1範囲に形成されており、第2ボディ領域と第2トレンチゲート電極群が分離範囲を隔てて第1範囲に隣接する第2範囲に形成されており、第1トレンチ絶縁体群が、前記第1範囲と前記分離範囲との境界に沿って形成されており、前記第1トレンチゲート電極群より浅く、第1トレンチ絶縁体は前記第2範囲に近い第1トレンチ絶縁体の方が浅いという関係を満たしており、第2トレンチ絶縁体群が、前記第2範囲と前記分離範囲との境界に沿って形成されており、前記第2トレンチゲート電極群より浅く、第2トレンチ絶縁体は前記第1範囲に近い第2トレンチ絶縁体の方が浅いという関係を満たしている半導体装置。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1ボディ領域と、第2ボディ領域と、ドリフト領域と、第1トレンチゲート電極群と、第2トレンチゲート電極群と、第1トレンチ絶縁体群と、第2トレンチ絶縁体群を備えている半導体装置であって、前記第1ボディ領域は、半導体基板を平面視したときの第1範囲において半導体基板表面から第1深さにまで至る第1島状範囲に形成されているとともに、第1導電型であり、前記第2ボディ領域は、前記半導体基板を平面視したときに前記第1範囲に分離範囲を隔てて隣接している第2範囲において前記半導体基板表面から第2深さにまで至る第2島状範囲に形成されているとともに、第1導電型であり、前記ドリフト領域は、前記分離範囲から前記第1ボディ領域の下部及び前記第2ボディ領域の下部に亘って形成されているとともに、第2導電型であり、前記第1トレンチゲート電極群は、前記半導体基板表面から前記第1ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に達するとともに、少なくとも前記第1範囲内において所定の間隔を隔てて規則的に配置されている第1トレンチ群内に絶縁層に覆われた状態で存在しており、前記第2トレンチゲート電極群は、前記半導体基板表面から前記第2ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に達するとともに、少なくとも前記第2範囲内において所定の間隔を隔てて規則的に配置されている第2トレンチ群内に絶縁層に覆われた状態で存在しており、前記第1トレンチ絶縁体群は、前記半導体基板表面における前記第1範囲と前記分離範囲との境界近傍においてその境界に沿って形成されており、前記第1トレンチゲート電極群より浅く、かつ、少なくとも一部が前記第1ボディ領域の外側にまで伸びており、前記第1トレンチ絶縁体群を構成する複数本の第1トレンチ絶縁体は前記第2範囲に近い第1トレンチ絶縁体の方が浅いという関係を満たしており、前記第2トレンチ絶縁体群は、前記半導体基板表面における前記第2範囲と前記分離範囲との境界近傍においてその境界に沿って形成されており、前記第2トレンチゲート電極群より浅く、かつ、少なくとも一部が前記第2ボディ領域の外側にまで伸びており、前記第2トレンチ絶縁体群を構成する複数本の第2トレンチ絶縁体は前記第1範囲に近い第2トレンチ絶縁体の方が浅いという関係を満たしている、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/76 , H01L 29/78 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/336 , H01L 29/739

FI (6件)：

H01L29/78 652R , H01L29/58 G , H01L29/78 653A , H01L29/78 658G , H01L29/78 655Z , H01L29/78 655G

Fターム (5件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104FF01 , 4M104GG09

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-369566 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-254467 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-005057 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-369566 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社

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