特許
J-GLOBAL ID：200903041657031708
熱電変換素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 清水 義憲
, 三上 敬史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-195109
公開番号（公開出願番号）：特開2009-032893
出願日： 2007年07月26日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：
【課題】高温環境下での特性の低下を抑制できる熱電変換素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】稜B及び/又は頂点Aが面取り加工された状態となっている稜部H及び/又は頂点部Gを有する熱電変換素子本体1と、この稜部H及び/又は頂点部Gを含む表面を覆う皮膜8と、を備える熱電変換素子10である。2つの平面b,dの交わりである稜Eを有し、稜Eに対して垂直な断面におけるこの稜Eでの2つの平面b,dのなす角αが鈍角である熱電変換素子本体1と、稜Eを含む上記熱電変換素子本体1の表面を覆う皮膜8と、を備える熱電変換素子10である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
稜及び/又は頂点が面取り加工された状態となっている稜部及び/又は頂点部を有する熱電変換素子本体と、
前記熱電変換素子本体の前記稜部及び/又は頂点部を含む表面を覆う皮膜と、を備える熱電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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