特許
J-GLOBAL ID：200903041690641732

配線構造の形成方法

発明者：
松本 晋

松本 晋 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-185776
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031637
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】低誘電率膜104に対してトレンチエッチングを行ってもフェンス110が形成されない、配線構造の形成方法を提供する。【解決手段】ヴィアホール105側壁部にある低誘電率膜104表面部分に対し、Cを抜いた変質層106を、後に形成されるフェンス110の幅よりも厚くなるように形成する。その後、デュアルダマシン構造形成過程であるトレンチエッチングを行うと、フェンス110が形成される。このフェンス110は変質層106で形成されているので、例えばHF系のウェットエッチング処理を行うことにより、低誘電率膜104とバリア絶縁膜103をエッチングすることなく、フェンス110だけを除去することが出来る。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
低誘電率膜に第1の溝を形成する工程と、 前記第1の溝の内壁にある前記低誘電率膜の表面部分に変質層を形成する工程と、 前記第1の溝中に、前記低誘電率膜と選択除去可能な材料からなるプラグを形成する工程と、 前記低誘電率膜及び前記変質層を一部除去し、前記低誘電率膜に前記第1の溝を一部含む第2の溝を形成する工程と、 前記プラグ及び前記変質層を選択的に除去し、前記低誘電率膜にヴィアホール及びトレンチを形成する工程と、 を備えたことを特徴とする配線構造の形成方法。
IPC (2件)：
H01L21/768 ,  H01L21/28
FI (3件)：
H01L21/90 A ,  H01L21/28 L ,  H01L21/90 K
Fターム (61件)：
4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD12 ,  4M104DD15 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD75 ,  4M104EE08 ,  4M104EE14 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH05 ,  4M104HH09 ,  4M104HH12 ,  4M104HH13 ,  4M104HH14 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR01 ,  5F033SS21 ,  5F033TT02 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28
引用特許：
審査官引用 (3件)

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