特許

J-GLOBAL ID：200903041749192864

半導体基板上にモノリシックに集積化された光電子集積回路

発明者： 伊藤 國雄 ,  岡本 晃 ,  松崎 陽介
出願人/特許権者： 津山工業高等専門学校長
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-036727
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228944
出願日： 2004年02月13日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：

【課題】半導体基板と光素子との間の格子不整合を解決して、半導体基板上にモノリシックに光素子と光回路部と電子回路部を半導体基板上に集積化した光電子集積回路を実現させる。【解決手段】半導体基板上にモノリシックに光素子と光回路部と電子回路部を半導体基板上に集積化した光電子集積回路において、少なくとも前記光素子と前記半導体基板との間にI-III-VI族化合物半導体、II-III-VI族化合物半導体、およびII-III-V族化合物半導体からなる群の中から選ばれる少なくとも1種の化合物半導体を含むバッファ層を設ける。【選択図】 図15

請求項（抜粋）：

半導体基板上にモノリシックに光素子と光回路部と電子回路部を半導体基板上に集積化した光電子集積回路において、少なくとも前記光素子と前記半導体基板との間にI-III-VI族化合物半導体、II-III-VI族化合物半導体、およびII-III-V族化合物半導体からなる群の中から選ばれる少なくとも1種の化合物半導体を含むバッファ層を設けたことを特徴とする光電子集積回路。

IPC (4件)：

H01L33/00 ,  H01L27/14 ,  H01L31/04 ,  H01S5/026

FI (4件)：

H01L33/00 C ,  H01S5/026 ,  H01L27/14 Z ,  H01L31/04 E

Fターム (29件)：

4M118BA02 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118FC02 ,  4M118FC04 ,  4M118FC05 ,  4M118FC07 ,  4M118FC15 ,  4M118FC16 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041FF14 ,  5F051AA10 ,  5F051BA13 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20 ,  5F073AB11 ,  5F073AB14 ,  5F073BA01 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB06 ,  5F073CB09 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体発光素子、および光電子集積回路素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-190696   出願人：株式会社村田製作所

審査官引用 (2件)

• 半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-338443   出願人：三菱電線工業株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-291038   出願人：富士通株式会社