特許
J-GLOBAL ID：200903041749192864

半導体基板上にモノリシックに集積化された光電子集積回路

発明者：
伊藤 國雄

伊藤 國雄 について

, 
岡本 晃

岡本 晃 について

, 
松崎 陽介

松崎 陽介 について


出願人/特許権者：
津山工業高等専門学校長

津山工業高等専門学校長 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-036727
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228944
出願日： 2004年02月13日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】半導体基板と光素子との間の格子不整合を解決して、半導体基板上にモノリシックに光素子と光回路部と電子回路部を半導体基板上に集積化した光電子集積回路を実現させる。【解決手段】半導体基板上にモノリシックに光素子と光回路部と電子回路部を半導体基板上に集積化した光電子集積回路において、少なくとも前記光素子と前記半導体基板との間にI-III-VI族化合物半導体、II-III-VI族化合物半導体、およびII-III-V族化合物半導体からなる群の中から選ばれる少なくとも1種の化合物半導体を含むバッファ層を設ける。【選択図】 図15
請求項（抜粋）：
半導体基板上にモノリシックに光素子と光回路部と電子回路部を半導体基板上に集積化した光電子集積回路において、少なくとも前記光素子と前記半導体基板との間にI-III-VI族化合物半導体、II-III-VI族化合物半導体、およびII-III-V族化合物半導体からなる群の中から選ばれる少なくとも1種の化合物半導体を含むバッファ層を設けたことを特徴とする光電子集積回路。
IPC (4件)：
H01L33/00 ,  H01L27/14 ,  H01L31/04 ,  H01S5/026
FI (4件)：
H01L33/00 C ,  H01S5/026 ,  H01L27/14 Z ,  H01L31/04 E
Fターム (29件)：
4M118BA02 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118FC02 ,  4M118FC04 ,  4M118FC05 ,  4M118FC07 ,  4M118FC15 ,  4M118FC16 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041FF14 ,  5F051AA10 ,  5F051BA13 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20 ,  5F073AB11 ,  5F073AB14 ,  5F073BA01 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB06 ,  5F073CB09 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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