特許
J-GLOBAL ID：200903041831969605

ショットキーバリアダイオードおよび半導体モジュール

発明者：
木ノ内 伸一

木ノ内 伸一 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286935
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100784
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】【課題】 ショットキー界面の構造が変化しないダイオード等を提供する。【解決手段】 一方の面に凹凸が付されたアノード電極と、アノード電極の他方の面の第1の領域に接合されたp型半導体層と、アノード電極の他方の面の第2の領域に接合されたn型半導体層と、カソード電極とを備えたショットキーバリアダイオードであって、アノード電極の凸部分が、p型半導体層の上に位置するよう配置されているショットキーバリアダイオード等を提供する。
請求項（抜粋）：
一方の面に凹凸が付されたアノード電極と、前記アノード電極の他方の面の第1の領域に接合されたp型半導体層と、前記アノード電極の他方の面の第2の領域に接合されたn型半導体層と、カソード電極とを備えたショットキーバリアダイオードであって、前記アノード電極の凸部分が、前記p型半導体層の上に位置するよう配置されているショットキーバリアダイオード。
IPC (3件)：
H01L 29/872 ,  H01L 23/58 ,  H01L 29/93
FI (4件)：
H01L 29/93 S ,  H01L 29/48 F ,  H01L 23/56 C ,  H01L 29/48 D
Fターム (6件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104CC03 ,  4M104FF06 ,  4M104FF09 ,  4M104HH20
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM