特許
J-GLOBAL ID：200903041860991296

半導体面発光レーザ及びその製造方法

発明者：
斎藤 英彰

斎藤 英彰 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-093340
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260779
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【目的】1.3μm〜1.55μmで発光する長波長帯の半導体面発光レーザの提供。【構成】n型GaAs基板1上にn型反射膜2、活性層を含む中間層3、5、p型反射膜6を有する面発光レーザ構造において、反射膜2、6の材料をGaAs/AlGaAs系半導体材料の多層膜とし、活性層をInGaAsドット構造(In組成0.2以上)4とする。InGaAs(組成0.2以上)はGaAs/AlGaAs多層反射膜と格子整合しないが、ドット構造にすることによって、欠陥が無くエピタキシャル成長することが可能とされ、例えば1.3μmのバンドギャップを持つInGaAsドットの活性層と、膜厚の制御により反射波長が1.3μmに設計された多層反射膜を使って、1.3μmの面発光レーザが実現できる。
請求項（抜粋）：
活性層を含む中間層と、該中間層の上下に反射膜とを有する、垂直共振器型面発光レーザにおいて、前記活性層が格子不整合系の材料からなるドット構造を有することを特徴とする半導体面発光レーザ。
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM