半導体レーザ,半導体レーザ・モジュールおよびラマン増幅器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：牛久健司 , 井上正 , 高城貞晶
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-043060
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205409
出願日： 2007年02月23日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：

【目的】回折格子の幅を異ならせなくても,複数の波長成分を含むレーザ光を出射することができる半導体レーザを提供する。【構成】半導体基板の上方に,ストライプ状の活性層24が,反射端面から出射端面にかけて形成されている。活性層24は反射端面から出射端面に向かう途中において曲がり,これにより活性層24を導波される光の光軸線が出射端面の位置において出射端面の法線方向に対して斜めを向いている。活性層24の曲がり部分の下方に回折格子21が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の上方に,第1端面から第2端面にかけて,活性層がストライプ状に形成されており, 前記ストライプ状の活性層は,前記第1端面の位置および第2端面の位置のうちの少なくともいずれか一方の位置において,前記活性層を導波される光の光軸線が第1端面の法線方向および第2端面の法線方向のいずれかに対して斜めを向くように,前記半導体基板の基板面と平行な面内において曲がっており, 前記活性層の曲がり部分の上方または下方に,格子間隔が等間隔である回折格子が形成されている, 半導体レーザ。

IPC (4件)：

H01S 5/22 , H01S 3/30 , H01S 5/12 , G02F 1/35

FI (4件)：

H01S5/22 , H01S3/30 , H01S5/12 , G02F1/35 501

Fターム (22件)：

2K002AA02 , 2K002AB30 , 2K002BA01 , 2K002DA10 , 2K002HA23 , 5F172AE13 , 5F172AG03 , 5F172AM08 , 5F172EE13 , 5F172EE20 , 5F173AA07 , 5F173AA26 , 5F173AB13 , 5F173AB24 , 5F173AB62 , 5F173AB64 , 5F173AB66 , 5F173AL04 , 5F173AP05 , 5F173AP82 , 5F173AR05 , 5F173AR07

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-300490 出願人：古河電気工業株式会社

審査官引用 (6件)

特開平4-221872
光導波路デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平2-406230 出願人：日本電信電話株式会社
特開平4-221872

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