分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-215769
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063505
出願日： 2002年07月24日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】高い歩留まりで、かつ高い光出力を確保する。【解決手段】仮想的に同一格子間隔で位相が連続する回折格子16の一部を構成するように光の出射方向に平坦な結合層13を挟んで互いに離間して配設された第1、第2の回折格子層12a、12bを有した分布帰還型半導体レーザにおいて、第1、第2の回折格子層及び結合層の上方であってかつ活性層の下の領域と結合層とを半導体基板と同一材料物質で形成し、第1、第2の回折格子層の回折格子における各結合係数κ1、κ2を互いに異なる値に設定し、さらに、第1、第2の回折格子層のうち、回折格子の結合係数が小さい回折格子層側の光出射端面に反射防止膜22を構成している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板(11)と、この半導体基板の上方に備えられ、仮想的に同一格子間隔で位相が連続する回折格子(16)の一部を構成するように光(23)の出射方向に結合層(13)を挟んで互いに離間して配設された第1、第2の回折格子層(12a、12b)と、この第1、第2の回折格子層及び結合層の上方に配置された活性層(18)と、この活性層の上方に配置されたクラッド層(19)とを備えた分布帰還型半導体レーザにおいて、前記第1、第2の回折格子層及び結合層の上方であってかつ前記活性層の下の領域と前記結合層とが前記半導体基板と同一材料物質で形成され、前記第1の回折格子層の回折格子(16a)における結合係数(κ1)と、前記第2の回折格子層の回折格子(16b)における結合係数(κ2)とが互いに異なる値に設定され、前記第1、第2の回折格子層のうち、回折格子の結合係数が小さい回折格子層側の光出射端面に反射防止膜(22)が形成されたことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S5/12 , H01S5/227

FI (2件)：

H01S5/12 , H01S5/227

Fターム (8件)：

5F073AA26 , 5F073AA64 , 5F073AA83 , 5F073AB17 , 5F073BA02 , 5F073CA12 , 5F073DA22 , 5F073EA03

引用特許：

出願人引用 (7件)

位相シフト型分布帰還半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-118660 出願人：株式会社日立製作所
特開昭60-192378
半導体レーザの構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-059256 出願人：三菱電機株式会社

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審査官引用 (4件)

位相シフト型分布帰還半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-118660 出願人：株式会社日立製作所
特開昭60-192378
特開昭60-192378

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