研磨処理後の洗浄用洗浄液及び研磨処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-087233
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251969
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】被処理基板の金属層を研磨した後、この金属層表面に影響を与えずに、基板表面の残渣を取り除くこと。【解決手段】ウエハWの金属層をCMP装置1で研磨した後、乾燥させ、続いて洗浄槽3中の洗浄液に浸漬して洗浄する。洗浄液としては、腐食防止剤と有機溶媒とを兼用するエチレングリコ-ルと、フッソ化合物溶液であるBHFとを4:1の比率で混合したものを用いる。この洗浄によりウエハW表面の残渣は洗浄液中のフッソによりエッチングされて除去されるが、この際ウエハWの金属表面にはエチレングリコ-ルの水酸基が電気的に吸着して保護層が形成され、これにより金属層は腐食が抑制される。従ってこの洗浄により、ウエハWの金属層表面に影響を与えず、残渣のみが除去される。

請求項（抜粋）：

被処理基板の表面の金属層を研磨体により研磨し、研磨工程の後に前記基板の表面を洗浄するために用いられる洗浄液であって、フッソ化合物溶液と、金属の表面に吸着して前記フッソ化合物による腐食を防止する有機溶媒からなる腐食防止剤と、を含むことを特徴とする研磨処理後の洗浄用洗浄液。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 341 , H01L 21/306 , H01L 21/308

FI (4件)：

H01L 21/304 321 A , H01L 21/304 341 L , H01L 21/308 A , H01L 21/306 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-193899 出願人：住友金属工業株式会社
半導体装置の製造方法及び洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-118888 出願人：株式会社日立製作所
特開平3-256665

全件表示

前のページに戻る