特許
J-GLOBAL ID：200903041888825120

光電変換装置の製造方法及び光電変換装置

発明者：
中野 要治

中野 要治 について


出願人/特許権者：
三菱重工業株式会社

三菱重工業株式会社 について


代理人 (2件)： 藤田 考晴 ,  上田 邦生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-329956
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152441
出願日： 2007年12月21日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：
【課題】高い変換効率を有する光電変換装置を、生産性を向上させて製造する方法を提供する。【解決手段】減圧環境とされる製膜室内に設置された基板を加熱手段によって加熱した状態にし、前記製膜室内に原料ガスを供給し、前記基板に対向して配置された放電電極に対して給電することにより前記基板へ結晶質シリコンからなるn層を製膜するn層形成工程を含む光電変換装置の製造方法であって、前記n層形成工程が、前記製膜室内の圧力を500Pa以上1000Pa以下、かつ、前記基板と前記放電電極との距離を6mm以上12mm以下に設定して前記n層を製膜する工程である光電変換装置の製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
減圧環境とされる製膜室内に設置された基板を加熱手段によって加熱した状態にし、前記製膜室内に原料ガスを供給し、前記基板に対向して配置された放電電極に対して給電することにより前記基板へ結晶質シリコンからなるn層を製膜するn層形成工程を含む光電変換装置の製造方法であって、 前記n層形成工程が、前記製膜室内の圧力を500Pa以上1000Pa以下、かつ、前記基板と前記放電電極との距離を6mm以上12mm以下に設定して前記n層を製膜する工程である光電変換装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/042 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L31/04 R ,  H01L21/205
Fターム (33件)：
5F045AA08 ,  5F045AB01 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD05 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF07 ,  5F045BB09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA61 ,  5F045DP01 ,  5F045EE12 ,  5F045EF02 ,  5F045EH05 ,  5F045EH07 ,  5F051BA14 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA16 ,  5F051CB12 ,  5F051CB29 ,  5F051EA09 ,  5F051EA10 ,  5F051EA11 ,  5F051EA16 ,  5F051FA03 ,  5F051FA19 ,  5F051GA03 ,  5F051JA04 ,  5F051JA05
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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