特許
J-GLOBAL ID:200903031584340051
光電変換装置の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
工藤 実
, 中尾 圭策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-345373
公開番号(公開出願番号):特開2007-150151
出願日: 2005年11月30日
公開日(公表日): 2007年06月14日
要約:
【課題】高圧狭ギャップ法の製膜条件を適切に予測し高品質膜を製膜することが可能な光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】製膜室6内に放電電極3と対向電極2とを含むプラズマCVD装置を用いた光電変換装置の製造方法である。(a)p層付き基板8を対向電極2に設置する工程、(b)電極間距離を3〜10mmにする工程、(c)基板8を170〜270°Cにする工程、(d)製膜室6内に、SiH4ガスの分圧が所定の範囲の圧力としての第2圧力になるように、SiH4ガスとH2ガスとを供給する工程、(g)放電電極3に高周波電力を供給してi層を形成する工程、(h)n層を形成する工程を具備する。【選択図】図6
請求項(抜粋):
製膜室内に放電電極と対向電極とが対向するように設けられたプラズマCVD装置を用いた光電変換装置の製造方法であって、
(a)前記放電電極に対向するように、p層を形成した基板を前記対向電極に設置する工程と、
(b)前記放電電極と前記基板との距離を3mm以上10mm以下に設定する工程と、
(c)前記基板を170°C以上270°C以下に加熱する工程と、
(d)前記製膜室内に、SiH4ガスの分圧が所定の範囲内の圧力としての第2圧力になるように、前記SiH4ガスとH2ガスとを供給する工程と、
(e)前記放電電極に高周波電力を供給して、前記p層の表面上方にi層を形成する工程と、
(f)前記i層の表面上方にn層を形成する工程と
を具備する
光電変換装置の製造方法。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L31/04 V
, H01L31/04 B
Fターム (12件):
5F051AA05
, 5F051BA14
, 5F051CA16
, 5F051CA23
, 5F051CA35
, 5F051CA36
, 5F051CA37
, 5F051CA40
, 5F051DA04
, 5F051DA16
, 5F051FA03
, 5F051GA03
引用特許: