特許

J-GLOBAL ID：200903041900143919

ナノ構造体、その製造方法、細線構造体および光触媒

発明者： 今田 彩 ,  田 透
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-209786
公開番号（公開出願番号）：特開2005-076039
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】ナノメートルサイズのタングステンまたは酸化タングステン細線構造を簡易に大量に形成するナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】タングステンを主成分とする下地層とその上部に細孔形成層を形成して被加工物とする工程(1)と、前記細孔形成層に細孔構造を形成する工程(2)と、前記被加工物を陽極酸化して前記細孔構造の底部に酸化タングステン凸構造を形成し、前記酸化タングステン凸構造を成長させて酸化タングステン細線構造を形成する工程(3)を有するナノ構造体の製造方法。さらに、前記酸化タングステン細線構造を還元してタングステン細線構造とする工程を有する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

タングステンを主成分とする下地層の上に細孔形成層を形成する工程(1)と、前記細孔形成層に細孔構造を形成する工程(2)と、前記被加工物を陽極酸化して前記細孔構造の底部に酸化タングステン凸構造を形成し、前記酸化タングステン凸構造を成長させて酸化タングステン細線構造を形成する工程(3)を有することを特徴とするナノ構造体の製造方法。

IPC (7件)：

C25D11/26 ,  B01J23/652 ,  B01J35/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C25D11/04 ,  G12B21/02

FI (7件)：

C25D11/26 A ,  B01J35/02 J ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C25D11/04 E ,  B01J23/64 103M ,  G12B1/00 601A

Fターム (21件)：

4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA01A ,  4G069BA01B ,  4G069BA48A ,  4G069BB02A ,  4G069BB02B ,  4G069BB04A ,  4G069BB04B ,  4G069BC32A ,  4G069BC60A ,  4G069BC60B ,  4G069BC67A ,  4G069BC75A ,  4G069BC75B ,  4G069CA10 ,  4G069CA17 ,  4G069FA01 ,  4G069FA02 ,  4G069FB02 ,  4G069FB42

引用特許：

審査官引用 (3件)

• チタンナノ細線、チタンナノ細線の製造方法、構造体及び電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-313939   出願人：キヤノン株式会社
• ナノ構造体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-140182   出願人：キヤノン株式会社
• 電子放出素子、その製造方法及び画像形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-318968   出願人：キヤノン株式会社